接觸式光刻機根據(jù)應用工序不同，可以分為用于生產(chǎn)芯片的光刻機，以及用于封裝的光刻機，其中封裝光刻機對于光刻精度和控制精度的要求都比制造用光刻機低很多，價值量也相對較低。

 

　　接觸式光刻機是芯片制造中光刻環(huán)節(jié)的核心設(shè)備， 技術(shù)含量、價值含量*。 光刻機涉及系統(tǒng)集成、精密光學、精密運動、精密物料傳輸、高精度微環(huán)境控制等多項先進技術(shù)，是所有半導體制造設(shè)備中技術(shù)含量zuì高的設(shè)備，因此也具備*的單臺價值量，目前世界上zuì先進的 ASML EUV光刻機單價達到近一億歐元，可滿足7nm制程芯片的生產(chǎn)。

 

　　接觸式光刻機的內(nèi)部組件如下：

　　激光器：光源，光刻機核心設(shè)備之一。

　　光束矯正器：矯正光束入射方向，讓激光束盡量平行。

　　能量控制器：控制zuì終照射到硅片上的能量，曝光不足或過足都會嚴重影響成像質(zhì)量。

　　光束形狀設(shè)置：設(shè)置光束為圓型、環(huán)型等不同形狀，不同的光束狀態(tài)有不同的光學特性。

　　遮光器：在不需要曝光的時候，阻止光束照射到硅片。

　　能量探測器：檢測光束zuì終入射能量是否符合曝光要求，并反饋給能量控制器進行調(diào)整。

　　掩模版：一塊在內(nèi)部刻著線路設(shè)計圖的玻璃板，貴的要數(shù)十萬美元。

　　掩膜臺：承載掩模版運動的設(shè)備，運動控制精度達到納米級。

　　物鏡：物鏡由 20 多塊鏡片組成，主要作用是把掩膜版上的電路圖按比例縮小，再被激光映射的硅片上，并且物鏡還要補償各種光學誤差。技術(shù)難度就在于物鏡的設(shè)計難度大，精度的要求高。

　　量臺、曝光臺： 承載硅片的工作臺， 一般的光刻機需要先測量，再曝光，只需一個工作臺，ASML 的雙工作臺光刻機則可以實現(xiàn)一片硅片曝光同時另一片硅片進行測量和對準工作，能有效提升工作效率。

　　內(nèi)部封閉框架、減振器：將工作臺與外部環(huán)境隔離，保持水平，減少外界振動干擾，并維持穩(wěn)定的溫度、壓力。